1200MHzトランスバーター、送信ドライバーアンプ　KGF1922 HEMTの基礎検討　修正記事

先日「1200MHzトランスバーター、送信ドライバーアンプ　KGF1922 HEMTの基礎検討」で紹介した実験結果に不都合がありましたので訂正します。

実験結果として紹介したV_GS vs I_D特性が妙に不自然で気になっていたのですが、実験基板をチェックしていたところ低域（100MHz程度）で異常発振を起こしておりおかしな結果を掲載してしまいました。

発振防止を加えた静特性試験回路です。

ゲートバイアスのインダクタンスにQダンプの抵抗と、低域用のパスコン、0.1uFを追加しました。あとゲートバイアス回路におまじない的に正バイアスがかからないようにするショットキーダイオードを追加しています。（ほとんど無意味）

また実験用の電源配線が乱雑で、ゲート側に不用意な帰還がかからないよう配線を見直しました。

これまでの間にあまり理由が分からず3個のFETを壊してきました。すべてドレインｰソース間のショートで、過大電流が流れたものと思います。静的動作としては安定したようなので、V_GS vs I_D特性を測定しなおしてみました。

測定結果からゲートバイアス電圧は-0.6V程度に設定すれば良いことが分かります。

実際の信号を入力した時の動特性につきましては次回紹介したいと思います。